2019华中科技大学光电学院游龙教授招聘博士后公告

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一、应聘条件

1、具有电子、计算机、材料或物理背景的博士学历;

2、具有较强的英文研究论文读写能力;

3、具备自旋电子学、人工智能算法等研究经验者优先考虑。

二、研究方向

1、基于电子自旋力矩的新型器件研究及芯片设计;

2、铁电/铁磁异质结新功能器件研究。

三、薪酬待遇

1、年薪税前20万起，可根据应聘者条件面议。年终依据科研成果会额外提供奖金;

2、可租住博士后公寓及解决子女入园、入学;

3、享受华中科技大学教职工社会保险、住房公积金等待遇;

4、支持博士后基金和自然科学基金的申请。

四、申请材料

1、个人简历及相关证明材料;

2、三篇同行评议论文代表作全文;

3、博士后期间的研究计划、预期目标等。

五、联系方式

应聘者请先将个人简历发送至：lyou@hust.edu.cn(邮件标题注明：应聘岗位+毕业院校+本人姓名+高校人才网)，联系人游龙老师，欢迎来信咨询并探讨。

课题组最近的工作：

1.Shuai Zhang, Shijiang Luo, Nuo Xu, Qiming Zou, Min Song, Jijun Yun, Qiang Luo, Zhe Guo, Ruofan Li, Weicheng Tian, Xin Li, Hengan Zhou, Huiming Chen, Yue Zhang, Xiaofei Yang, Wanjun Jiang, Ka Shen, Jeongmin Hong, Zhe Yuan, Li Xi, Ke Xia, Sayeef Salahuddin, Bernard Dieny, Long You*, A Spin–Orbit‐Torque Memristive Device, Advanced Electronic Materials (back cover). 1800782, (2019).

2. Shijiang Luo, Nuo Xu, Zhe Guo, Yue Zhang, Jeongmin Hong, and Long You*, Voltage-Controlled Skyrmion Memristor for Energy-Efficient Synapse Applications. IEEE Electron Device Letters. (2019,in press).

3.Huiming Chen§, Shuai Zhang§, Nuo Xu, Xin Li, Ruofan Li, Yi Zeng, Jeongmin Hong, Long You*, Binary and Ternary True Random Number Generators Based on Spin Orbit Torque. IEDM 2018.

4. Shijiang Luo, Min Song, Xin Li, Yue Zhang, Jeongmin Hong, Xiaofei Yang, Xuecheng Zou, Nuo Xu, Long You*. Reconfigurable Skyrmion Logic Gates. Nano letters, 18(2), 1180-1184 (2018).

5. Huiming Chen, Min Song, Zhe Guo, Ruofan Li, Qiming Zou, Shijiang Luo, Shuai Zhang, Qiang Luo, Jeongmin Hong, Long You*, Highly secure physically unclonable cryptographic primitives based on interfacial magnetic anisotropy. Nano letters, 18(11), 7211-7216 (2018).

6. Xin Li, Min Song, Nuo Xu, Shijiang Luo, Qiming Zou, Shuai Zhang, Jeongmin Hong, Xiaofei Yang, Tai Min, Xiufeng Han, Xuecheng Zou, Jian-Gang Zhu, Sayeef Salahuddin, Long You*, Novel Cascadable Magnetic Majority Gates for Implementing Comprehensive Logic Functions. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 (99): 1-7.

7. J. Hong, K. Dong, J. Bokor, L. You*, Self-assembled single-digit nanometer memory cells. Applied Physics Letters 113.6 (2018): 062404.

来源：

http://postdoctor.hust.edu.cn/info/1007/1746.htm

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